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模拟静电场描绘仪

产品简介

模拟静电场描绘仪 型号:GVZ-4

主要技术参数:
1. 和电源分离式,单笔测试,内置四种电**
(同心圆、平行导线、聚焦、劈尖形)。
2.规格为420mm*260mm,高100mm,K4-2导线。

产品型号:GVZ-4
更新时间:2024-02-07
厂商性质:生产厂家
访问量:843
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品牌其他品牌产地类别国产
应用领域综合

模拟静电场描绘仪 型号:GVZ-4

模拟静电场描绘仪 

主要技术参数:
1. 和电源分离式,单笔测试,内置四种电**
(同心圆、平行导线、聚焦、劈尖形)。
2.规格为420mm*260mm,高100mm,K4-2导线。
3.同心圆和其他电**印有坐标格规格为1mm. 
4.微晶导电层的均匀性,实验值误差为小于2%。
5.电源输出范围(直流)为7.00v—13.00V,分辨率为0.01V (配三位半数码管)。
6.采用多圈电位器调节电压,调节细度可达0.01V。
应承受250g正负50g的力摩擦2万次,膜层电阻阻值变化0.3%,对导电微晶无磨损。 

主要技术参数:
1. GVZ-4型为箱体和电源分离式,单笔测试,内置四种电**
(同心圆、平行导线、聚焦、劈尖形)。
2.规格为420mm*260mm,高100mm,K4-2导线。
3.同心圆和其他电**印有坐标格规格为1mm. 
4.微晶导电层的均匀性,实验值误差为小于2%。
5.电源输出范围(直流)为7.00v—13.00V,分辨率为0.01V (配三位半数码管)。
6.采用多圈电位器调节电压,调节细度可达0.01V。
应承受250g正负50g的力摩擦2万次,膜层电阻阻值变化0.3%,对导电微晶无磨损。

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